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Bâti extérieur IC 4.75V | 5.5V du nanovolt 8-SOIC de contrôleur de DS1312S-2+T&R IC
Modèle: | DS1312S-2+T&R |
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Type de contrôleur: | RAM non volatile |
Statut de produit: | Actif |
Bâti extérieur non-volatile en cristal de DS1321E+ IC CTRL nanovolt 5V 20TSSOP RAM IC
Modèle: | DS1321E+ |
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Type de contrôleur: | RAM non volatile |
Statut de produit: | Actif |
Puce 3V 16 SOIC IC non-volatile RAM de circuit intégré de DS1314S+T&R
Modèle: | DS1314S+T&R |
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Type de contrôleur: | RAM non volatile |
Statut de produit: | Actif |
Contrôleur en cristal IC nanovolt 8DIP RAM Through Hole de DS1312+ IC BW RST
Modèle: | DS1312+ |
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Type de contrôleur: | RAM non volatile |
Statut de produit: | Actif |
DS1314E+T&R a intégré la puce CTRL le nanovolt W/BATT LUNDI IC Chips Nonvolatile RAM
Modèle: | DS1314E+T&R |
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Type de contrôleur: | RAM non volatile |
Statut de produit: | Actif |
VXM7-9032-25M0000000 cristal IC 25 mégahertz 4-SMD en cristal aucune puce de l'avance IC
Modèle: | VXM7-9032-25M0000000 |
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Mode de fonctionnement: | Harmonique fondamentale |
Statut de produit: | Actif |
DS1314S-2+T&R/C04 intégré ébrèche 3V le bâti de surface de BA de la puce intégré par IC cont
Modèle: | DS1314S-2+T&R/C04 |
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Type de contrôleur: | RAM non volatile |
Statut de produit: | Actif |
Bâti extérieur en cristal de non-et IC NX2LP 56QFN de CY7C68033-56LTXC IC IC USB CTLR
Modèle: | CY7C68033-56LTXC |
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Type de contrôleur: | Flash NAND-USB |
Statut de produit: | Actif |
Le circuit intégré de BQ2201SN-NTR ébrèche le bâti extérieur d'IC SRAM CNTRLR 8SOIC
Modèle: | BQ2201SN-NTR |
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Type de contrôleur: | SRAM non volatile |
Statut de produit: | Actif |
BQ2204ASNTR IC en cristal X4 SRAM IC NONVOL CTRLR 16-SOIC 5.5V
Modèle: | BQ2204ASNTR |
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Type de contrôleur: | SRAM non volatile |
Statut de produit: | Actif |