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Circuit intégré de type mémoire flash NOR - tension d'alimentation minimale de 2,7 V
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
|---|---|
| Memory Capacity: | 4Mbit |
| Write Cycle Time - Word: | 50µs |
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Circuit intégré IC de mémoire flash avec temps de cycle d'écriture de 50 μS
| Écrivez la durée de cycle - Word: | 50µs |
|---|---|
| Tension d'alimentation - maximum: | 3,6 V |
| Vitesse: | 50ns |
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2.7 V tension d'alimentation - Min circuit intégré pour des performances fiables
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
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Rouleau d'emballage pour circuit intégré avec 20 ans de conservation des données
| Write Cycle Time - Page: | 50µs |
|---|---|
| Product Type: | Flash Memory IC |
| Packaging: | Reel |
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Circuit intégré d'emballage en bobine avec SOIC-8 Package/Case à prix compétitif
| Memory Capacity: | 4Mbit |
|---|---|
| Mounting Type: | Surface Mount |
| Product Type: | Flash Memory IC |
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Circuit intégré à emballage en bobine avec type de mémoire flash NOR
| Memory Organization: | 512K X 8 |
|---|---|
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Data Retention: | 20 Years |
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Voltage - alimentation 2,7 V - 3,6 V Circuit intégré avec stockage de données étendu
| Package / Case: | SOIC-8 |
|---|---|
| Memory Type: | NOR Flash |
| Mounting Type: | Surface Mount |
Emballage de bobine puce de circuit intégré avec 20 ans de conservation des données
| Écrire le temps de cycle - page: | 50µs |
|---|---|
| Écrivez la durée de cycle - Word: | 50µs |
| Capacité de mémoire: | 4Mbit |
4 Mbit de mémoire flash IC 3,6V Voltage d'alimentation max
| Emballage: | Bobine |
|---|---|
| Écrire le temps de cycle - page: | 50µs |
| Type de mémoire: | NI instantané |
Circuit intégré SOIC-8 512K X 8 50ns
| Vitesse: | 50ns |
|---|---|
| Écrivez la durée de cycle - Word: | 50µs |
| Conservation de données: | 20 ans |