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VIDEO LA CHINE Circuit intégré à emballage en bobine avec type de mémoire flash NOR

Circuit intégré à emballage en bobine avec type de mémoire flash NOR

Memory Organization: 512K X 8
Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
VIDEO LA CHINE Voltage - alimentation 2,7 V - 3,6 V Circuit intégré avec stockage de données étendu

Voltage - alimentation 2,7 V - 3,6 V Circuit intégré avec stockage de données étendu

Package / Case: SOIC-8
Memory Type: NOR Flash
Mounting Type: Surface Mount
LA CHINE 2.7 V tension d'alimentation - Min circuit intégré pour des performances fiables

2.7 V tension d'alimentation - Min circuit intégré pour des performances fiables

Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
LA CHINE Circuit intégré de type mémoire flash NOR - tension d'alimentation minimale de 2,7 V

Circuit intégré de type mémoire flash NOR - tension d'alimentation minimale de 2,7 V

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Memory Capacity: 4Mbit
Write Cycle Time - Word: 50µs
LA CHINE Circuit intégré IC de mémoire flash avec temps de cycle d'écriture de 50 μS

Circuit intégré IC de mémoire flash avec temps de cycle d'écriture de 50 μS

Écrivez la durée de cycle - Word: 50µs
Tension d'alimentation - maximum: 3,6 V
Vitesse: 50ns
LA CHINE Emballage de bobine puce de circuit intégré avec 20 ans de conservation des données

Emballage de bobine puce de circuit intégré avec 20 ans de conservation des données

Écrire le temps de cycle - page: 50µs
Écrivez la durée de cycle - Word: 50µs
Capacité de mémoire: 4Mbit
LA CHINE 4 Mbit de mémoire flash IC 3,6V Voltage d'alimentation max

4 Mbit de mémoire flash IC 3,6V Voltage d'alimentation max

Emballage: Bobine
Écrire le temps de cycle - page: 50µs
Type de mémoire: NI instantané
LA CHINE Circuit intégré SOIC-8 512K X 8 50ns

Circuit intégré SOIC-8 512K X 8 50ns

Vitesse: 50ns
Écrivez la durée de cycle - Word: 50µs
Conservation de données: 20 ans
LA CHINE 2.7V Emballage des bobines de circuits intégrés

2.7V Emballage des bobines de circuits intégrés

Type de mémoire: NI instantané
Tension d'alimentation - maximum: 3,6 V
Type de produit: Mémoire instantanée IC
LA CHINE Circuit intégré à emballage en bobine disponible avec organisation de mémoire 512K X 8

Circuit intégré à emballage en bobine disponible avec organisation de mémoire 512K X 8

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
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