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Contrôleur IC Chip
Bâti extérieur IC 4.75V | 5.5V du nanovolt 8-SOIC de contrôleur de DS1312S-2+T&R IC
| Modèle: | DS1312S-2+T&R |
|---|---|
| Type de contrôleur: | RAM non volatile |
| Statut de produit: | Actif |
Bâti extérieur non-volatile en cristal de DS1321E+ IC CTRL nanovolt 5V 20TSSOP RAM IC
| Modèle: | DS1321E+ |
|---|---|
| Type de contrôleur: | RAM non volatile |
| Statut de produit: | Actif |
Puce EMMC 100-BGA de SM662PXF BESS Pol Module Flash Memory IC
| Modèle: | SM662PXF BESS |
|---|---|
| Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE) |
| Statut de produit: | Actif |
Parallèle 150 NS 28-CPGA de mémoire instantanée d'AT28C256-15UM Pol Module EEPROM IC
| Modèle: | AT28C256-15UM/883-815 |
|---|---|
| Technologie: | EEPROM |
| Statut de produit: | Actif |
La mémoire IC 256Kb d'AT28C256-20UM Pol Module 28-CPGA EEPROM mettent en parallèle 200 NS
| Modèle: | AT28C256-20UM/883-815 |
|---|---|
| Technologie: | EEPROM |
| Statut de produit: | Actif |
Mémoire EMMC 153-BGA de chromatographie sur couche mince IC de SM662PXF BFSS IC Nand Flash
| Modèle: | SM662PXF BFSS |
|---|---|
| Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE) |
| Statut de produit: | Actif |
AT28C256E-25UM Pol Module 256Kb EEPROM IC 250 parallèles NS 28-CPGA
| Modèle: | AT28C256E-25UM/883-815 |
|---|---|
| Technologie: | EEPROM |
| Statut de produit: | Actif |
Mémoire non volatile IC de FEMC512GBE-E530 NAND Memory IC 4Tb 200MHz
| Modèle: | FEMC512GBE-E530 |
|---|---|
| Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE) |
| Statut de produit: | Actif |
Mémoire INSTANTANÉE IC EMMC de SM662PXF Pol Module BFST 153-BGA non volatil
| Modèle: | SM662PXF BFST |
|---|---|
| Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE) |
| Statut de produit: | Actif |
Chromatographie sur couche mince EMMC 100-BGA de SM662GXF BFSS Nand Flash Memory IC active
| Modèle: | SM662GXF BFSS |
|---|---|
| Technologie: | FLASH-NAND (SLC), FLASH-NAND (TLC) |
| Statut de produit: | Actif |