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DS1314S-2+T&R/C04 intégré ébrèche 3V le bâti de surface de BA de la puce intégré par IC cont
| Modèle: | DS1314S-2+T&R/C04 |
|---|---|
| Type de contrôleur: | RAM non volatile |
| Statut de produit: | Actif |
Bâti extérieur en cristal de non-et IC NX2LP 56QFN de CY7C68033-56LTXC IC IC USB CTLR
| Modèle: | CY7C68033-56LTXC |
|---|---|
| Type de contrôleur: | Flash NAND-USB |
| Statut de produit: | Actif |
DS1314E+T&R a intégré la puce CTRL le nanovolt W/BATT LUNDI IC Chips Nonvolatile RAM
| Modèle: | DS1314E+T&R |
|---|---|
| Type de contrôleur: | RAM non volatile |
| Statut de produit: | Actif |
VXM7-9032-25M0000000 cristal IC 25 mégahertz 4-SMD en cristal aucune puce de l'avance IC
| Modèle: | VXM7-9032-25M0000000 |
|---|---|
| Mode de fonctionnement: | Harmonique fondamentale |
| Statut de produit: | Actif |
Puce 3V 16 SOIC IC non-volatile RAM de circuit intégré de DS1314S+T&R
| Modèle: | DS1314S+T&R |
|---|---|
| Type de contrôleur: | RAM non volatile |
| Statut de produit: | Actif |
Contrôleur en cristal IC nanovolt 8DIP RAM Through Hole de DS1312+ IC BW RST
| Modèle: | DS1312+ |
|---|---|
| Type de contrôleur: | RAM non volatile |
| Statut de produit: | Actif |
Bâti extérieur IC 4.75V | 5.5V du nanovolt 8-SOIC de contrôleur de DS1312S-2+T&R IC
| Modèle: | DS1312S-2+T&R |
|---|---|
| Type de contrôleur: | RAM non volatile |
| Statut de produit: | Actif |
Bâti extérieur non-volatile en cristal de DS1321E+ IC CTRL nanovolt 5V 20TSSOP RAM IC
| Modèle: | DS1321E+ |
|---|---|
| Type de contrôleur: | RAM non volatile |
| Statut de produit: | Actif |
Puce EMMC 100-BGA de SM662PXF BESS Pol Module Flash Memory IC
| Modèle: | SM662PXF BESS |
|---|---|
| Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET (CHROMATOGRAPHIE SUR COUCHE MINCE) |
| Statut de produit: | Actif |
Parallèle 150 NS 28-CPGA de mémoire instantanée d'AT28C256-15UM Pol Module EEPROM IC
| Modèle: | AT28C256-15UM/883-815 |
|---|---|
| Technologie: | EEPROM |
| Statut de produit: | Actif |