MMUN2233LT1G a pré polarisé le transistor bipolaire 50V 100 mA 246mW SOT-23-3 de NPN

Lieu d'origine LES Etats-Unis
Nom de marque onsemi
Certification ROHS
Numéro de modèle MMUN2233LT1G
Quantité de commande min 3000
Prix enquiry
Détails d'emballage Bande
Délai de livraison 5-8 jours de travail
Conditions de paiement T/T
Capacité d'approvisionnement 50000

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Détails sur le produit
Modèle MMUN2233LT1G Type de transistor NPN - Pré-décentré
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 100 mA Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 50 V
Actuel - coupure de collecteur (maximum) 500nA Puissance - maximum 246 mW
Montage du type Bâti extérieur
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Transistor bipolaire pré décentré

,

Transistor bipolaire de MMUN2233LT1G

,

transistor bipolaire de 50V NPN

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Description de produit

Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation.Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 246 mW Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)

MMUN2233LT1G a pré polarisé le transistor bipolaire 50V 100 mA 246mW SOT-23-3 de NPN 0

 

Catégorie
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Transistors bipolaires simples pré-biasés
Mfr
un demi
Série
-
Statut du produit
Actif
Type de transistor
NPN - Pré-participation
Courant - collecteur (Ic) (maximum)
100 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
40,7 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)
47 kOhms
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic
250 mV @ 300 μA, 10 mA
Courant - Coupe du collecteur (maximum)
500 nA
Puissance maximale
246 mW
Type de montage
Monture de surface
Emballage / boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respectent les dispositions de la présente directive.

 

Les produits

 

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