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Portée de tension d'alimentation 2,7 V - 3,6 V Circuit intégré de 4 Mbit de mémoire

  • Supplies Voltage Range 2.7 V - 3.6 V Integrated Circuit with 4Mbit Memory Capacity
Place of Origin USA
Nom de marque ON
Certification ROHS
Model Number NCV84045DR2G
Minimum Order Quantity 1
Prix 1
Packaging Details Tape & Reel (TR)
Delivery Time 1-2 WEEKS
Payment Terms T/T
Supply Ability 10000pcs/day

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Détails sur le produit
Mounting Type Surface Mount Memory Type NOR Flash
Speed 50ns Supply Voltage - Min 2.7 V
Data Retention 20 Years Package / Case SOIC-8
Memory Capacity 4Mbit Supply Voltage - Max 3.6 V
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Description de produit

Description du produit:

Flash Memory IC est une puce de circuit intégré utilisée pour stocker des données.Ce circuit intégré de mémoire flash est doté d'un boîtier SOIC-8, une température de fonctionnement de -40°C à 85°C, et une capacité de mémoire de 4Mbit.Cette mémoire flash IC est un choix parfait pour les applications qui nécessitent un stockage de données rapide et fiable.


Caractéristiques:

  • Nom du produit: IC mémoire flash
  • Type de mémoire: ni flash
  • Écrire le temps de cycle - mot: 50μs
  • Capacité de mémoire: 4 Mbit
  • Température de fonctionnement: -40 °C à 85 °C
  • Type de montage: montage à la surface
  • Type de puce: circuit intégré

Paramètres techniques:

Attributs Valeur
Vitesse 50 ans
Organisation de la mémoire 512K x 8
Écrivez le temps de cycle - Word 50 μs
Type de montage Monture de surface
Capacité de mémoire 4Mbit
Conservation des données Vingt ans
Type de mémoire Ne pas éclairer
Température de fonctionnement -40°C à 85°C
Écrire le temps de cycle - page 50 μs
Emballage / boîtier Le code SOIC-8
Circuit intégré IC de mémoire flash

Applications:

L'IC de mémoire flash ON NCV84045DR2G est un circuit intégré certifié selon les normes ROHS et fabriqué aux États-Unis.Il est conçu avec une organisation de mémoire de 512K X 8 et un type de mémoire de NOR FlashLe temps de cycle d'écriture de chaque mot est de 50 μs et l'alimentation en tension est comprise entre 2,7 V et 3,6 V. Il a une plage de température de -40 °C à 85 °C et est disponible avec une quantité minimale de commande de 1.Le circuit intégré de mémoire flash est emballé en ruban adhésif et en bobine (TR) et est disponible pour une livraison immédiate dans les 1-2 semainesLe prix est de 1 et la capacité d'approvisionnement est de 10000 pièces/jour.


Emballage et expédition

Emballage et expédition des circuits intégrés de mémoire flash

Les circuits intégrés de mémoire flash doivent être emballés et expédiés avec soin pour s'assurer qu'ils ne sont pas endommagés ou compromis pendant le transport.

  • Les circuits intégrés doivent toujours être emballés dans des sacs antistatiques pour les protéger des chocs électriques.
  • Placez les circuits intégrés à l'intérieur d'un insert en mousse qui correspond à la forme des circuits intégrés.
  • Enveloppez les circuits intégrés dans une pellicule de bulles pour une protection supplémentaire.
  • Placer les circuits intégrés dans une boîte ou un conteneur sécurisé par ESD pour l'expédition.
  • Étiqueter la boîte ou le conteneur avec les informations d'expédition appropriées.
  • Fermez la boîte ou le récipient avec du ruban adhésif.

FAQ:

Q1: Quel est le nom de la marque de la mémoire flash IC?
R1: Le nom de marque de l'IC de mémoire flash est ON.
Q2: Quel est le numéro de modèle de la mémoire flash IC?
R2: Le numéro de modèle du circuit intégré de mémoire flash est NCV84045DR2G.
Q3: Où est fabriqué le circuit intégré de mémoire flash?
R3: Le circuit intégré de mémoire flash est fabriqué aux États-Unis.
Q4: Quelles sont les certifications des circuits intégrés de mémoire flash?
R4: Le circuit intégré de mémoire flash est certifié ROHS.
Q5: Quelle est la quantité minimale de commande pour les circuits intégrés de mémoire flash?
R5: La quantité minimale de commande pour les circuits intégrés de mémoire flash est de 1.

Étiquettes:

LTM2889IY-3#PBF a isolé l'émetteur-récepteur

Puce 6-TDFN des véhicules à moteur

Émetteur-récepteur d'isolement 32-BGA RoHS