- NXP et TSMC développent conjointement l'IP de MRAM incorporé en technologie de TSMC 16 nanomètre FinFET
- Avec MRAM, les constructeurs automobiles peuvent plus efficacement dérouler de nouvelles caractéristiques, accélérer au-dessus du - des mises à jour de l'air (OTA) et enlever des goulots d'étranglement de production
- La prochaine génération de NXP des processeurs S32 zonaux et le MCUs des véhicules à moteur d'usage universel sont programmés pour être le premier produit à prélever début 2025
NXP a aujourd'hui annoncé sa collaboration avec TSMC pour livrer le premier MRAM incorporé des véhicules à moteur de l'industrie (mémoire à accès sélectif magnétique) en technologie de 16 nanomètre FinFET. Comme transition de constructeurs d'automobiles aux véhicules logiciel-définis (SDVs), ils doivent soutenir les générations multiples des mises à jour logicielles sur une plate-forme matériel simple. Le rassemblement des processeurs S32 des véhicules à moteur performants de NXP avec de la mémoire non-volatile de la deuxième génération rapide et fortement fiable en technologie de 16 nanomètre FinFET fournit la plate-forme matériel idéale pour cette transition.
MRAM peut mettre à jour 20MB de code en ~3 secondes comparées aux souvenirs instantanés qui prennent environ 1 minute, réduisant au minimum le temps d'arrêt lié aux actualisations de logiciel et permettant à des constructeurs automobiles d'éliminer les goulots d'étranglement qui résultent des temps de programmation de long module. D'ailleurs, MRAM fournit une technologie fortement fiable pour des profils de la mission des véhicules à moteur en offrant jusqu'à un million de cycles de mise à jour, un niveau de la résistance 10x plus grande que l'éclair et d'autres technologies de stockage d'émergence.
SDVs permettent à des constructeurs automobiles de dérouler de nouvelles caractéristiques de confort, de sécurité et de commodité par l'intermédiaire plus de - des mises à jour de l'air (OTA), prolongeant la vie du véhicule et augmentant sa fonctionnalité, appel, et rentabilité. Car les caractéristiques articulées autour d'un logiciel deviennent plus répandues dans des véhicules, la fréquence des mises à jour augmentera, et la vitesse et la robustesse de MRAM deviendront bien plus importantes.
Le 16FinFET de TSMC a inclus la technologie de MRAM dépasse les objectifs rigoureux des applications des véhicules à moteur avec son un million de résistance de cycle, appui pour le ré-écoulement de soudure, et conservation de 20 données d'an à 150°C.