LA CHINE Mémoire de circuit intégré durable avec stockage de données à longue durée 166 MHz

Mémoire de circuit intégré durable avec stockage de données à longue durée 166 MHz

Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
LA CHINE Mémoire de circuit intégré de 2 Gb pour un stockage fiable et rationalisé des données

Mémoire de circuit intégré de 2 Gb pour un stockage fiable et rationalisé des données

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
LA CHINE Rétention de données 166 MHz avec mémoire de circuit intégré avec stockage

Rétention de données 166 MHz avec mémoire de circuit intégré avec stockage

Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
LA CHINE Mémoire à circuit intégré haute performance avec stockage de données non volatiles 166 MHz

Mémoire à circuit intégré haute performance avec stockage de données non volatiles 166 MHz

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Transfer Rate: 1.8ms
LA CHINE 166 MHz mémoire de circuit intégré de conservation des données pour améliorer les performances

166 MHz mémoire de circuit intégré de conservation des données pour améliorer les performances

Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
LA CHINE Mémoire de circuit intégré haute performance pour des tâches exigeantes

Mémoire de circuit intégré haute performance pour des tâches exigeantes

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
LA CHINE Mémoire de circuit intégré compact avec 1,7 V - 2 V Voltage 166 MHz Conservation de données

Mémoire de circuit intégré compact avec 1,7 V - 2 V Voltage 166 MHz Conservation de données

Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
Type: Integrated Circuit Storage
LA CHINE Stockage et transfert de données efficaces avec mémoire de circuit intégré

Stockage et transfert de données efficaces avec mémoire de circuit intégré

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
LA CHINE Rétention de données à 166 MHz mémoire de circuit intégré avec temps d'accès non volatile

Rétention de données à 166 MHz mémoire de circuit intégré avec temps d'accès non volatile

Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
Access Time: Non-Volatile
LA CHINE Mémoire de circuit intégré de 2 Gb de capacité Performance puissante à 1,7 V - 2 V

Mémoire de circuit intégré de 2 Gb de capacité Performance puissante à 1,7 V - 2 V

Data Retention: 166 MHz
Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
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