LA CHINE Mémoire de circuit intégré non volatile Accès fiable aux données avec tension 1,7 V - 2 V

Mémoire de circuit intégré non volatile Accès fiable aux données avec tension 1,7 V - 2 V

Data Retention: 166 MHz
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
VIDEO LA CHINE Mémoire de circuit intégré non volatile avec conservation de données de 166 MHz et tension de 1,7 V à 2 V

Mémoire de circuit intégré non volatile avec conservation de données de 166 MHz et tension de 1,7 V à 2 V

Taux de transfert des données: 1.8ms
Chaîne de température de fonctionnement: -40°C ~ 125°C (TA)
Temps d'accès: Non-volatile
VIDEO LA CHINE Circuit intégré stockage 166MHz conservation des données 1,7V-2V

Circuit intégré stockage 166MHz conservation des données 1,7V-2V

Taux de transfert des données: 1.8ms
Conservation de données: 166 mégahertz
Voltage: 1.7V | 2V
LA CHINE Introduction d'une mémoire à circuit intégré de 2 Go pour un stockage efficace des données

Introduction d'une mémoire à circuit intégré de 2 Go pour un stockage efficace des données

Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
LA CHINE Temps d'accès non volatil Solution de mémoire de circuit intégré Gestion efficace des données

Temps d'accès non volatil Solution de mémoire de circuit intégré Gestion efficace des données

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
LA CHINE Mémoire de circuit intégré haute performance 1,8 ms Taux de transfert 166 MHz Réservation de données

Mémoire de circuit intégré haute performance 1,8 ms Taux de transfert 166 MHz Réservation de données

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Data Transfer Rate: 1.8ms
Voltage: 1.7V ~ 2V
LA CHINE Temps d'accès Mémoire de circuit intégré non volatile avec stockage de circuit intégré

Temps d'accès Mémoire de circuit intégré non volatile avec stockage de circuit intégré

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
LA CHINE Mémoire de circuit intégré de 2 Gb de capacité avec temps d'accès non volatile

Mémoire de circuit intégré de 2 Gb de capacité avec temps d'accès non volatile

Capacity: 2Gb
Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
LA CHINE Mémoire de circuit intégré non volatile de 166 MHz avec stockage de données

Mémoire de circuit intégré non volatile de 166 MHz avec stockage de données

Temps d'accès: Non-volatile
Taux de transfert des données: 1.8ms
Conservation de données: 166 mégahertz
LA CHINE Mémoire de circuit intégré de 2 Gb pour appareils électroniques

Mémoire de circuit intégré de 2 Gb pour appareils électroniques

Voltage: 1.7V | 2V
Capacité: 2GB
Conservation de données: 166 MHz
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