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Portée de tension d'alimentation 2,7 V - 3,6 V Circuit intégré de 4 Mbit de mémoire
| Mounting Type: | Surface Mount |
|---|---|
| Memory Type: | NOR Flash |
| Speed: | 50ns |
Organisation efficace de la mémoire 512K X 8 Circuit intégré avec temps de cycle d'écriture 50μs
| Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
|---|---|
| Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Packaging: | Reel |
50 μs Temps de cycle d'écriture Circuit intégré 2,7 V - 3,6 V Voltage - Appareil
| Product Type: | Flash Memory IC |
|---|---|
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Circuit intégré SOIC-8 efficace avec une conservation de données de 20 ans pour les besoins industriels
| Product Type: | Flash Memory IC |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
NOR Flash circuit intégré 2,7 V - 3,6 V tension - alimentation en mémoire fiable
| Package / Case: | SOIC-8 |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Write Cycle Time - Page: | 50µs |
Circuit intégré efficace avec une conservation des données de 20 ans - tension minimale d'alimentation 2,7 V
| Data Retention: | 20 Years |
|---|---|
| Packaging: | Reel |
| Mounting Type: | Surface Mount |
Voltage d'alimentation - Min 2,7 V Circuit intégré pour des solutions écoénergétiques
| Data Retention: | 20 Years |
|---|---|
| Packaging: | Reel |
| Memory Capacity: | 4Mbit |
VIDEO
50 μs Écrire la puce de temps de cycle avec une vitesse de 50ns
| Type de produit: | Mémoire instantanée IC |
|---|---|
| Vitesse: | 50ns |
| Type de mémoire: | NI instantané |
VIDEO
Capacité de mémoire de 4 Mbit Réservation de données de 20 ans Puce de vitesse de 50 ns
| Montage du type: | Bâti extérieur |
|---|---|
| Tension - approvisionnement: | 2,7 V | 3,6 V |
| Tension d'alimentation - maximum: | 3,6 V |
VIDEO
50ns Vitesse 512K X 8 Organisation de mémoire 2.7V-3.6V Puce d'alimentation en tension
| Emballage: | Bobine |
|---|---|
| Capacité de stockage: | 4Mbit |
| Écrivez la durée de cycle - Word: | 50µs |