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LA CHINE Portée de tension d'alimentation 2,7 V - 3,6 V Circuit intégré de 4 Mbit de mémoire

Portée de tension d'alimentation 2,7 V - 3,6 V Circuit intégré de 4 Mbit de mémoire

Mounting Type: Surface Mount
Memory Type: NOR Flash
Speed: 50ns
LA CHINE Organisation efficace de la mémoire 512K X 8 Circuit intégré avec temps de cycle d'écriture 50μs

Organisation efficace de la mémoire 512K X 8 Circuit intégré avec temps de cycle d'écriture 50μs

Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
Packaging: Reel
LA CHINE 50 μs Temps de cycle d'écriture Circuit intégré 2,7 V - 3,6 V Voltage - Appareil

50 μs Temps de cycle d'écriture Circuit intégré 2,7 V - 3,6 V Voltage - Appareil

Product Type: Flash Memory IC
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
LA CHINE Circuit intégré SOIC-8 efficace avec une conservation de données de 20 ans pour les besoins industriels

Circuit intégré SOIC-8 efficace avec une conservation de données de 20 ans pour les besoins industriels

Product Type: Flash Memory IC
Data Retention: 20 Years
Supply Voltage - Max: 3.6 V
LA CHINE NOR Flash circuit intégré 2,7 V - 3,6 V tension - alimentation en mémoire fiable

NOR Flash circuit intégré 2,7 V - 3,6 V tension - alimentation en mémoire fiable

Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
Write Cycle Time - Page: 50µs
LA CHINE Circuit intégré efficace avec une conservation des données de 20 ans - tension minimale d'alimentation 2,7 V

Circuit intégré efficace avec une conservation des données de 20 ans - tension minimale d'alimentation 2,7 V

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Mounting Type: Surface Mount
LA CHINE Voltage d'alimentation - Min 2,7 V Circuit intégré pour des solutions écoénergétiques

Voltage d'alimentation - Min 2,7 V Circuit intégré pour des solutions écoénergétiques

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Memory Capacity: 4Mbit
VIDEO LA CHINE 50 μs Écrire la puce de temps de cycle avec une vitesse de 50ns

50 μs Écrire la puce de temps de cycle avec une vitesse de 50ns

Type de produit: Mémoire instantanée IC
Vitesse: 50ns
Type de mémoire: NI instantané
VIDEO LA CHINE Capacité de mémoire de 4 Mbit Réservation de données de 20 ans Puce de vitesse de 50 ns

Capacité de mémoire de 4 Mbit Réservation de données de 20 ans Puce de vitesse de 50 ns

Montage du type: Bâti extérieur
Tension - approvisionnement: 2,7 V | 3,6 V
Tension d'alimentation - maximum: 3,6 V
VIDEO LA CHINE 50ns Vitesse 512K X 8 Organisation de mémoire 2.7V-3.6V Puce d'alimentation en tension

50ns Vitesse 512K X 8 Organisation de mémoire 2.7V-3.6V Puce d'alimentation en tension

Emballage: Bobine
Capacité de stockage: 4Mbit
Écrivez la durée de cycle - Word: 50µs
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