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2N7002-7-F bâti 370mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (ventres) SOT-23-3

Name: 2N7002-7-F bâti 370mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (ventres) SOT-23-3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 2N7002-7-F
Rating: 4.8 (169 reviews)

Lieu d'origine	LES Etats-Unis
Nom de marque	Diodes Incorporated
Certification	RoHS
Numéro de modèle	2N7002-7-F
Quantité de commande min	3000
Prix	negotiate
Détails d'emballage	Bande magnétique (TR)
Délai de livraison	5-8 jours de travail
Conditions de paiement	T/T
Capacité d'approvisionnement	45000

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Détails sur le produit

Modèle	2N7002-7-F	Type FET	Canal N
Tension drain à source (Vdss)	60V	Courant - Vidange continue (Id) 25°C	115mA (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	5V, 10V	Paquet/cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Description de produit

2N7002-7-F bâti 370mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (ventres) SOT-23-3

Description

Ce transistor MOSFET a été conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état (le RDS (DESSUS)) mais maintenir la représentation de changement supérieure, le rendant idéal pour des applications de gestion de puissance de rendement élevé.

Applications

contrôle de moteur de 

le  actionnent des fonctions de gestion

Caractéristiques

basse Sur-résistance de 

basse tension de seuil de porte de 

basse capacité d'entrée de 

vitesse de changement rapide de 

petit paquet extérieur de bâti de 

 totalement sans plomb et entièrement RoHS conforme

halogène et antimoine de  libres. Dispositif « vert »

le  a qualifié aux normes AEC-Q101 pour la fiabilité élevée

Données mécaniques

cas de  : SOT23

matériel de cas de  : Plastique moulé, composé de moulage « vert ». Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0

sensibilité d'humidité de  : De niveau 1 par J-STD-020

terminaux de  : Matte Tin Finish a recuit au-dessus du leadframe de l'alliage 42 (électrodéposition sans plomb). Solderable par MIL-STD-202, méthode 208

connexions terminales de  : Voir le diagramme

poids de  : 0,008 grammes (d'approximatif)

Catégorie	Produits semiconducteurs discrets Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr	Diodes incorporées
Série	-
Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	115mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	7.5Ohm @ 50mA, 5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	2.5V @ 250µA
Vgs (maximum)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	50 PF @ 25 V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	370mW (ventres)
Température de fonctionnement	-55°C \| 150°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	SOT-23-3
Paquet/cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ORIGINAL

Notre société s'assure que chaque série de produits vient de l'usine originale, et peut fournir les labels originaux et les rapports professionnels d'agence d'essai.

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