2N7002K-7 bâti 370mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 380mA (ventres) SOT-23-3

Lieu d'origine LES Etats-Unis
Nom de marque Diodes Incorporated
Certification RoHS
Numéro de modèle 2N7002K-7
Quantité de commande min 3000
Prix negotiations
Détails d'emballage Bande magnétique (TR)
Délai de livraison 5-8 jours de travail
Conditions de paiement T/T
Capacité d'approvisionnement 3000

Contactez-moi pour des échantillons gratuits et des coupons.

WhatsApp:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Si vous avez des inquiétudes, nous fournissons une aide en ligne 24 heures sur 24.

x
Détails sur le produit
Modèle 2N7002K-7 Tension drain à source (Vdss) 60V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 380mA (Ta) Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2,5 V à 1 mA Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Laisser un message
Description de produit

2N7002K-7 bâti 370mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 380mA (ventres) SOT-23-3

Description et applications

Ce transistor MOSFET a été conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état (le RDS (DESSUS)) maintenez encore la représentation de changement supérieure, le rendant idéal pour des applications de gestion de puissance de rendement élevé.

contrôle de moteur de 

le  actionnent des fonctions de gestion

contre-jour de 

 

Caractéristiques et avantages

basse Sur-résistance de 

basse capacité d'entrée de 

vitesse de changement rapide de 

basse fuite d'entrée-sortie de 

le  ESD s'est protégé jusqu'à 2kV

 

Données mécaniques

cas de  : SOT23

matériel de cas de  : Plastique moulé, composé de moulage « vert ». Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0

sensibilité d'humidité de  : De niveau 1 par J-STD-020

terminaux de  : Finition

 Matte Tin Annealed au-dessus d'alliage 42 Leadframe. Solderable par MIL-STD-202, méthode 208

poids de  : 0,008 grammes (d'approximatif)

 

spécifications de 2N7002K-7

Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr
Diodes incorporées
Série
-
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
380mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
0,3 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
50 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
370mW (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-23-3
Paquet/cas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

 

ORIGINAL

 

Notre société s'assure que chaque série de produits vient de l'usine originale, et peut fournir les labels originaux et les rapports professionnels d'agence d'essai.

 

PRIX

 

Nous fournissons un grand choix de canaux de citation, et signons le contrat d'ordre après négociation.

 

TRANSACTION

 

Après communication et accord, nous vous guiderons pour nous charger du paiement.

 

CYCLE DE LIVRAISON

 

La livraison le même jour, généralement 5-12 jours ouvrables, peut être légèrement retardée pendant l'épidémie, nous continuera le processus entier.

 

TRANSPORT

 

Nous choisirons le mode approprié de transport selon votre pays.

 

EMBALLAGE

 

Après communication avec vous, nous choisirons la méthode de empaquetage appropriée selon le poids des marchandises pour assurer la livraison sûre des marchandises.