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DMP6050SFG-13 bâti 1.1W (merci) extérieur du P-canal 60 V 4.8A (ventres) PowerDI3333-8
| Lieu d'origine | LES Etats-Unis |
|---|---|
| Nom de marque | Diodes Incorporated |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | DMP6050SFG-13 |
| Quantité de commande min | 3000 |
| Prix | negotiations |
| Détails d'emballage | Bande magnétique (TR) |
| Délai de livraison | 5-8 jours de travail |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 6000 |
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xDétails sur le produit
| Modèle | DMP6050SFG-13 | Technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
|---|---|---|---|
| Tension drain à source (Vdss) | 60V | Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhms à 5 A, 10 V |
Description de produit
DMP6050SFG-13 bâti 1.1W (merci) extérieur du P-canal 60 V 4.8A (ventres) PowerDI3333-8
Description et applications
Ce transistor MOSFET a été conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état (le RDS (DESSUS)) mais maintenir la représentation de changement supérieure, le rendant idéal pour des applications de gestion de puissance de rendement élevé.
contre-jour de
le actionnent des fonctions de gestion
convertisseurs du DC-DC
Caractéristiques et avantages
le le bas RDS (DESSUS) – s'assure sur des pertes d'état sont réduits au minimum
le petit paquet efficace de facteur de forme de thermiquement permet des produits finaux plus à haute densité
le occupe juste 33% de la région de conseil occupée par SO-8 permettant un plus petit produit final
totalement sans plomb et entièrement RoHS conforme
halogène et antimoine de libres. Dispositif « vert »
Données mécaniques
cas de : POWERDI® 3333-8
matériel de cas de : Plastique moulé, composé de moulage « vert ». Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0
sensibilité d'humidité de : De niveau 1 par J-STD-020
indicateur de connexions terminales de : Voir le diagramme
terminaux de : Finition
Matte Tin Annealed au-dessus de Leadframe de cuivre. Solderable par MIL-STD-202, méthode 208
poids de : 0,072 grammes (d'approximatif)
spécifications de DMP6050SFG-13
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Catégorie
|
Produits semiconducteurs discrets
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
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Mfr
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Diodes incorporées
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Série
|
-
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Type de FET
|
P-canal
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Technologie
|
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
|
|
Vidangez à la tension de source (Vdss)
|
60 V
|
|
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
|
4.8A (ventres)
|
|
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
|
4.5V, 10V
|
|
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
|
50mOhm @ 5A, 10V
|
|
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
|
3V @ 250µA
|
|
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
|
24 OR @ 10 V
|
|
Vgs (maximum)
|
±20V
|
|
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
|
1293 PF @ 30 V
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Caractéristique de FET
|
-
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|
Dissipation de puissance (maximum)
|
1.1W (ventres)
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|
Température de fonctionnement
|
-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
|
Bâti extérieur
|
|
Paquet de dispositif de fournisseur
|
PowerDI3333-8
|
|
Paquet/cas
|
8-PowerVDFN
|
ORIGINAL
Notre société s'assure que chaque série de produits vient de l'usine originale, et peut fournir les labels originaux et les rapports professionnels d'agence d'essai.
PRIX
Nous fournissons un grand choix de canaux de citation, et signons le contrat d'ordre après négociation.
TRANSACTION
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La livraison le même jour, généralement 5-12 jours ouvrables, peut être légèrement retardée pendant l'épidémie, nous continuera le processus entier.
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