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DMG1012UW-7 bâti 290mW (merci) extérieur du N-canal 20 V 1A (ventres) SOT-323

Name: DMG1012UW-7 bâti 290mW (merci) extérieur du N-canal 20 V 1A (ventres) SOT-323
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1012UW-7
Rating: 5 (176 reviews)

Lieu d'origine	LES Etats-Unis
Nom de marque	Diodes Incorporated
Certification	RoHS
Numéro de modèle	DMG1012UW-7
Quantité de commande min	3000
Prix	negotiations
Détails d'emballage	Bande magnétique (TR)
Délai de livraison	5-8 jours de travail
Conditions de paiement	T/T
Capacité d'approvisionnement	15000

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Détails sur le produit

Modèle	DMG1012UW-7	Tension drain à source (Vdss)	20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhms à 600 mA, 4,5 V

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Description de produit

DMG1012UW-7 bâti 290mW (merci) extérieur du N-canal 20 V 1A (ventres) SOT-323

Caractéristiques

• Basse Sur-résistance

• Basse tension de seuil de porte

• Basse capacité d'entrée

• Vitesse de changement rapide

• Basse fuite d'entrée-sortie

• L'ESD s'est protégé jusqu'à 2kV

• Totalement sans plomb et entièrement RoHS conformes

• Halogène et antimoine libres. Dispositif « vert »

• Pour des applications des véhicules à moteur exigeant le contrôle spécifique de changement

Données mécaniques

• Cas : SOT323

• Matériel de cas : Plastique moulé, composé de moulage « vert ». Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0

• Sensibilité d'humidité : De niveau 1 par J-STD-020

• Connexions terminales : Voir le diagramme ci-dessous

• Terminaux : ⎯ Matte Tin Annealed de finition au-dessus d'alliage 42 Leadframe. Solderable par MIL-STD-202, méthode 208

• Poids : 0,006 grammes (d'approximatif)

Catégorie	Produits semiconducteurs discrets Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr	Diodes incorporées
Série	-
Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	20 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	1A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	450mOhm @ 600mA, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	0,74 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum)	±6V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	60,67 PF @ 16 V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	290mW (ventres)
Température de fonctionnement	-55°C \| 150°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	SOT-323
Paquet/cas	SC-70, SOT-323

ORIGINAL

Notre société s'assure que chaque série de produits vient de l'usine originale, et peut fournir les labels originaux et les rapports professionnels d'agence d'essai.

PRIX

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TRANSACTION

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