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DMN4800LSSQ-13 bâti 1.46W (merci) extérieur du N-canal 30 V 8.6A (ventres) 8-SO
| Lieu d'origine | LES Etats-Unis |
|---|---|
| Nom de marque | Diodes Incorporated |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | DMN4800LSSQ-13 |
| Quantité de commande min | 2500 |
| Prix | negotiations |
| Détails d'emballage | Bande magnétique (TR) |
| Délai de livraison | 5-8 jours de travail |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 7500 |
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xDétails sur le produit
| Modèle | DMN4800LSSQ-13 | Tension drain à source (Vdss) | 30V |
|---|---|---|---|
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta) | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhms à 9 A, 10 V | Dissipation de puissance (maximale) | 1.46W (Ta) |
Description de produit
DMN4800LSSQ-13 bâti 1.46W (merci) extérieur du N-canal 30 V 8.6A (ventres) 8-SO
Description
Ce transistor MOSFET est conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état (le RDS (DESSUS)) mais maintenir la représentation de changement supérieure, le rendant idéal pour les applications à haute efficacité de gestion de puissance.
Applications
contre-jour de
le actionnent des fonctions de gestion
convertisseurs du DC-DC
Caractéristiques
basse Sur-résistance de
basse capacité d'entrée de
vitesse de changement rapide de
basse fuite d'entrée-sortie de
totalement sans plomb et entièrement RoHS conforme
halogène et antimoine de libres. Dispositif « vert »
le a qualifié aux normes AEC-Q101 pour la fiabilité élevée
PPAP capable
Données mécaniques
cas de : SO-8
matériel de cas de : Plastique moulé, composé de moulage « vert ». Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0
sensibilité d'humidité de : De niveau 1 par J-STD-020
connexions de terminaux de : Voir le diagramme
terminaux de : Finition - Matte Tin Annealed au-dessus de Leadframe de cuivre. Solderable par MIL-STD-202, méthode 208
poids de : 0.072g (approximatif)
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Catégorie
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Produits semiconducteurs discrets
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
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Mfr
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Diodes incorporées
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Série
|
Des véhicules à moteur, AEC-Q101
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Type de FET
|
N-canal
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Technologie
|
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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|
Vidangez à la tension de source (Vdss)
|
30 V
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
|
8.6A (ventres)
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|
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
|
4.5V, 10V
|
|
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
|
14mOhm @ 9A, 10V
|
|
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
|
1.6V @ 250µA
|
|
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
|
8,7 OR @ 5 V
|
|
Vgs (maximum)
|
±25V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
|
798 PF @ 10 V
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Caractéristique de FET
|
-
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|
Dissipation de puissance (maximum)
|
1.46W (ventres)
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|
Température de fonctionnement
|
-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
|
Bâti extérieur
|
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Paquet de dispositif de fournisseur
|
8-SO
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Paquet/cas
|
8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
|
ORIGINAL
Notre société s'assure que chaque série de produits vient de l'usine originale, et peut fournir les labels originaux et les rapports professionnels d'agence d'essai.
PRIX
Nous fournissons un grand choix de canaux de citation, et signons le contrat d'ordre après négociation.
TRANSACTION
Après communication et accord, nous vous guiderons pour nous charger du paiement.
CYCLE DE LIVRAISON
La livraison le même jour, généralement 5-12 jours ouvrables, peut être légèrement retardée pendant l'épidémie, nous continuera le processus entier.
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EMBALLAGE
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